●8位專家展望EUV光刻技術（一）
在文章的最后，我們引用GlobalSources電子工程專輯于2010年05月07日對業(yè)界光刻專家和該領域的一些高層人員以“光刻技術路在何方”為主題的一次訪談,。這次訪談的作者為來自電子工程專輯馬立得先生,。
光刻技術正處在十字路口并可能是在向錯誤的方向發(fā)展,。
光刻是支撐摩爾定律所闡明的IC工藝不斷縮微的關鍵生產技術,。當前的技術仍然可行，而且其壽命已遠遠超出了所有人的預期,，所以將在不久的將來失去動力,。其后繼技術的研究在幾十年前就已經開始。
然而,，今天,，在四個主要的下一代光刻(NGL)候選技術中，有三個技術,，即超紫外線(EUV),、多波束無掩膜和納米壓印，落后于時間表,。
特別是EUV技術,，消耗了大量的研發(fā)時間和財富，但仍沒有取得多少成果,，這促使一些人士呼吁把開發(fā)努力重新定向,。納米壓印，就其本身而言,，存在套刻精度和吞吐量問題,，而多波束技術仍然在研發(fā)中。第四個下一代候選技術--定向自組裝,，是一種很有前途的研究課題,，但尚未開始研發(fā)。
英特爾早在1997年就領導成立了EUV LLC企業(yè)聯(lián)盟,，計劃在2005年把EUV光刻技術商業(yè)化的,，加盟公司包括AMD、IBM,、英飛凌和Micron,。
按照原定計劃,，EUV現(xiàn)在應該取代傳統(tǒng)的光學光刻技術。然而事實上,，光學光刻目前在半導體領域仍然舉足輕重,。至于EUV技術何時能投入生產，有人估計在2012年初,，也有人估計在2015年或2016年,，甚至有人認為這個時間可能永遠不會到來。
也有一些公司在推動納米壓印,、無掩膜光刻或一種被稱為自組裝的新興技術,。另外一些公司則希望把今天的光學光刻技術一直延續(xù)下去。
對于這個產業(yè)來說,，將賭注押在EUV上錯了么,？如果真是這樣的話，到底應該研究哪種技術呢,？從長遠來看,，誰將最終受益？
1,、YanBorodovsky
——英特爾高級研究員兼技術和制造部先進光刻技術總監(jiān)
雖然之前一直都在推動EUV技術,，但是英特爾目前正在考慮一種混合匹配的光刻戰(zhàn)略。
“針對未來的IC設計,，我認為正確的方向是具有互補性的光刻技術,。193納米光刻是目前能力最強且最成熟的技術，能夠滿足精確度和成本要求,，但缺點是分辨率低,。利用一種新技術作為193納米光刻的補充，可能是在成本,、性能以及精確度方面的最佳解決方案,。補充技術可以是EUV或電子束光刻?！?/p>
“我認為,，對于大批量制造而言，將EUV作為補充技術存在很多挑戰(zhàn),，多波束電子束同樣如此,。NAND閃存廠商有更大的可能去引入某種新技術，就像我們之前試圖引入EUV那樣,。實際上,，邏輯芯片在布局、設計規(guī)則和限制方面有更大的自由度。因而我們可以理解,，為什么三星將更加積極地部署EUV,。他們別無選擇，只能寄希望于波長更短,、數(shù)值孔徑（NA）更高和K1為0.25的技術,。”
2,、G. DanHutcheson
——市場研究公司VLSI Technology CEO
“我認為該行業(yè)找到了正確方向,。這個十年比上個十年好了太多。我記得在上世紀90年代,，所有研究都在遵循下一代光刻的路線圖,，沒有人搞別的東西?！?/p>
“而我們從事的是每年花費大量研發(fā)經費的不斷發(fā)展的業(yè)務,。要確保在將來的節(jié)點仍遵循摩爾定律，需要有兩到三個可替代現(xiàn)有技術的方案,。作為最后的手段,，電子束技術總能保證寫入的幾何精密性,，但缺點是它違反了摩爾定律,。壓印是一項非常有趣的技術，這項技術有待開發(fā),。EUV也是如此,。”
“我們可利用現(xiàn)有的技術,，即雙重成型,。如果我是芯片制造商，我會把大量資金投在雙重成型技術上,，因為現(xiàn)在我的光刻工具的產能基本上下降了一半,。也就是說，每片晶圓的成本增加了一倍,。因此我會需要雙倍的工具,，這對設備行業(yè)來說是個好消息?！?/p>