●EUV技術(shù)原理淺析
為了繼續(xù)縮小線寬,，擴大芯片容量,，人們一直在開發(fā)新的集成電路生產(chǎn)技術(shù)。如：X射線接近式光刻,、電子束投影光刻,、離子柬投影光刻和軟X射線投影光刻等。為了強調(diào)軟X射線投影光刻與現(xiàn)有光刻的連續(xù)性,，現(xiàn)在普遍稱其為“極紫外投影光刻”,。極紫外投影光刻EUV的幾個關(guān)鍵技術(shù)已經(jīng)突破，最有希望成為下一代集成電路的生產(chǎn)技術(shù),。它采用13nm的工作波長,，理論上適用于線寬22nm以下的集成電路生產(chǎn),。
EUV是目前距實用話最近的一種深亞微米的光刻技術(shù)。他仍然采用前面提到的分步投影光刻系統(tǒng),，只是改變光源的波長,，即采用波長更短的遠(yuǎn)紫外線。目前已經(jīng)采用248nm,、193nm的準(zhǔn)分子激光光刻出0.18um的細(xì)線條,，在采用近程校正、移相掩膜等新技術(shù)后可達到0.15um,。波長為157nm的準(zhǔn)分子激光光刻技術(shù)也將近期投入應(yīng)用,。如果采用波長為13nm的EUV，則可得到0.1um的細(xì)條,。采用的EUV進行光刻的主要難點是很難找到合適的制作掩膜版的材料和光學(xué)系統(tǒng),。
Intel巨資開發(fā)的Intel’s Micro Exposure Tool（MET）
關(guān)于EUV理論上的探討和初步的實驗在80年代中期就有學(xué)者做過相關(guān)工作。但一直到90年代末期,，芯片工藝的飛速發(fā)展以及微縮過程中所遇到的種種難題才使得工業(yè)界產(chǎn)生了緊迫感,。而且集成電路發(fā)展的過程也清楚地顯示，如果不對當(dāng)前的芯片工藝做大刀闊斧的改進,，盡快地推出EUV工藝,，摩爾定律甚至整個芯片工業(yè)都將面臨前所未有的危機。
IMEC開發(fā)的EUV alpha demonstration tool
1997年由Intel,、AMD,、Micron、Motorola,、SVGL,、USAL、ASML組成極紫外有限公司（EUVLLC）和在加州的三個國家實驗室成立,。
EUV系統(tǒng)主要由四部分構(gòu)成：
極端紫外光源
反射投影系統(tǒng)
光刻模板（mask）
能夠用于極端紫外的光刻涂層（photo-resist）
無論是哪個部分,，傳統(tǒng)的光刻工藝都無用武之地，需要重新設(shè)計,。
極端紫外光源非常難設(shè)計,，現(xiàn)有的激光器在極端紫外光譜輸出功率低,，無法達到光刻所需的能量要求,。而讓問題變得更復(fù)雜的是，極端紫外光會被絕大多數(shù)的材料吸收,，包括空氣,，傳統(tǒng)的光刻透射投影設(shè)備等。