●前景光明的EUV極端遠(yuǎn)紫外光刻技術(shù)
隨著光刻技術(shù)的進(jìn)步,，在157nm之后人們稱之為下一代光刻技術(shù)（NGL）,。其中EUV是最有前途的方法之一，也是今天我們討論的主角,。EUV技術(shù)最明顯的特點(diǎn)是曝光波長(zhǎng)一下子降到13.5nm,，在如此短波長(zhǎng)的光源下，幾乎所有物質(zhì)都有很強(qiáng)的吸收性,，所以不能使用傳統(tǒng)的穿透式光學(xué)系統(tǒng),，而要改用反射式的光學(xué)系統(tǒng)，但是反射式光學(xué)系統(tǒng)難以設(shè)計(jì)成大的NA,，造成分辨率無法提高,。
EUV技術(shù)還有些其它優(yōu)點(diǎn)，如可通用KrF曝光中的光刻膠以及由于短波長(zhǎng),，不需要使用OPC（光鄰近效應(yīng)的圖形補(bǔ)償）技術(shù)等,，大大降低了掩模成本,。
EUV技術(shù)的主要挑戰(zhàn)如下：
美國(guó)Cymer公司從1997年起就開始EUV光源的研制,，目前的技術(shù)路線有三種：第一種源自Cymer的高密度等離子體激光器,；第二種是放電型等離子體激光器（DPP）；第三種是基于激光產(chǎn)生等離子體（LPP）技術(shù),。為實(shí)現(xiàn)芯片批量生產(chǎn)需要高功率的激光器,，同時(shí)又是降低EUV光刻機(jī)的關(guān)鍵。目前EUV光源的功率己可達(dá)10W,，試驗(yàn)樣機(jī)的要求是30W,，而真正滿足批量生產(chǎn)要求是100W。
在EUV光刻技術(shù)中,，由于掩模是采用反射式（通常都是穿透式）,，所以掩模的制作十分困難。一般采用80層堆疊的Mo/Si薄膜,，每一個(gè)Mo（鉬）層與Si（硅）層的厚度分別為2.8nm及4.0nm,。而且要求每層必須絕對(duì)平滑，誤差只容許一個(gè)原子大小,，所以如何制作多層涂布低缺陷的掩模仍是個(gè)大挑戰(zhàn),。目前認(rèn)為在掩模上的顆粒尺寸在50nm時(shí)就無法接受，所以通常要采用掩模修正技術(shù),，如離子銑,，或者用電子束在局部區(qū)域加熱氣化修正多余的圖形等。另外涉及到掩模的儲(chǔ)存,、運(yùn)輸及操作也非常困難,。
從EUV輻射的殘骸可能破壞EUV系統(tǒng)的光學(xué)鏡片，作為近期目標(biāo),，鏡片的壽命至少要幾個(gè)月,。業(yè)界為了EUV，即下一代光刻技術(shù)付出了許多努力,，如美國(guó)的EUVLLC,、歐洲的EU41C、日本的ASET及EUVA等公司,。