●IBM對于EUV的態(tài)度和布局
IBM公司近日宣布了其光刻技術(shù)戰(zhàn)略,，表示將把其193nm沉浸式光刻縮小到22納米節(jié)點(diǎn),，以實(shí)現(xiàn)大量生產(chǎn),。換個(gè)角度看來，由于超紫外線（EUV）光刻技術(shù)還不能用于22nm節(jié)點(diǎn)邏輯的早期開發(fā)工作,，該技術(shù)將在22nm工藝中再次被拋棄,。
這對于EUV技術(shù)的擁護(hù)者來說無疑是個(gè)不好的征兆，他們本希望能在2009年將EUV這種下一代光刻技術(shù)應(yīng)用于32節(jié)點(diǎn)中,。另外,，這一事件還對EUV是否已經(jīng)就位，或者說它的可用性提出了更多疑問,，它本來就已經(jīng)由于人力資源,、光刻膠等重要因素的缺乏而舉步維艱了。
而且,，一套EUV工具的價(jià)格可能高達(dá)4000萬到6000萬美元,。業(yè)界希望EUV工具能夠幫助其盡快進(jìn)入量產(chǎn)，但這一技術(shù)還未完全成熟,。IBM公司著名工程師,、光刻技術(shù)開發(fā)總監(jiān)GeorgeGomba表示：IBM也一直在開發(fā)EUV、沉浸式,、直寫等下一代光刻技術(shù)（NGL）,。在它位于紐約州EastFishkill的領(lǐng)先的300納米工廠里，IBM公司已經(jīng)采用了來自ASML Holding NV公司的193nm光學(xué)掃描儀,。
業(yè)界普遍認(rèn)為IBM將繼續(xù)和這家荷蘭公司合作,。IBM沒有就其合作廠商發(fā)表評論。Gomba表示,，IBM目前正采用“干式”193納米沉浸式光刻工具生產(chǎn)65節(jié)點(diǎn)邏輯芯片,。接下來，IBM將把193nm光刻擴(kuò)展到45nm節(jié)點(diǎn)（65nm半間距）,。在該節(jié)點(diǎn)上,，IBM將采用一個(gè)193nm的沉浸式掃描儀和據(jù)稱由ASML公司提供的1.2的數(shù)字孔徑。
在45nm節(jié)點(diǎn)之后,，IBM還將把193nm沉浸式光刻擴(kuò)展到32納米節(jié)點(diǎn)（45納米半間距）,。在這一節(jié)點(diǎn)上，IBM將試用單圖形和雙圖形工藝,，并采用一個(gè)帶有1.35NA透鏡的掃描器,。令人意外的是，IBM還表示將在2011年將沉浸式光刻縮放至22nm節(jié)點(diǎn),。IBM認(rèn)為193nm沉浸式光刻是能夠滿足22節(jié)點(diǎn)的2年周期和要求的唯一方案,。
有專家表示，目前的193nm沉浸式光刻折射率為1.4,，還只能以40納米工藝生產(chǎn),。為了突破這一障礙,，IBM將運(yùn)用一個(gè)采用了雙圖形技術(shù)的先進(jìn)的193nm沉浸式掃描器，以及分辨率增強(qiáng)技術(shù)和OPC,。Gomba指出：“我們在試用各種不同的雙圖形工藝,。”
至于EUV技術(shù),，IBM認(rèn)為這項(xiàng)技術(shù)還不能用于22nm的早期開發(fā)工作,。IBM希望EUV能接近22納米節(jié)點(diǎn)，但這一技術(shù)要到2009年才能最終成熟,。迄今為止,，ASML公司已經(jīng)銷售了兩款相當(dāng)早期的“試用型”EUV工具，一個(gè)提供給了IMEC公司,，另一個(gè)給了AlbanyNanotech公司,。這家荷蘭公司將給三星提供一款“預(yù)生產(chǎn)”型EUV設(shè)備，并可能給英特爾也提供一套,。尼康和佳能也在開發(fā)EUV,。