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【兆恒機(jī)械】光刻技術(shù)在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中的重要地位(11)

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  • 添加日期:2021年03月17日

 

    ●IBM對(duì)于EUV的態(tài)度和布局

   IBM公司近日宣布了其光刻技術(shù)戰(zhàn)略,,表示將把其193nm沉浸式光刻縮小到22納米節(jié)點(diǎn),,以實(shí)現(xiàn)大量生產(chǎn)。換個(gè)角度看來(lái),,由于超紫外線(xiàn)(EUV)光刻技術(shù)還不能用于22nm節(jié)點(diǎn)邏輯的早期開(kāi)發(fā)工作,該技術(shù)將在22nm工藝中再次被拋棄,。

   這對(duì)于EUV技術(shù)的擁護(hù)者來(lái)說(shuō)無(wú)疑是個(gè)不好的征兆,,他們本希望能在2009年將EUV這種下一代光刻技術(shù)應(yīng)用于32節(jié)點(diǎn)中。另外,,這一事件還對(duì)EUV是否已經(jīng)就位,,或者說(shuō)它的可用性提出了更多疑問(wèn),它本來(lái)就已經(jīng)由于人力資源,、光刻膠等重要因素的缺乏而舉步維艱了,。



造價(jià)高昂的EUV光刻系統(tǒng)

   而且,一套EUV工具的價(jià)格可能高達(dá)4000萬(wàn)到6000萬(wàn)美元,。業(yè)界希望EUV工具能夠幫助其盡快進(jìn)入量產(chǎn),,但這一技術(shù)還未完全成熟。IBM公司著名工程師,、光刻技術(shù)開(kāi)發(fā)總監(jiān)GeorgeGomba表示:IBM也一直在開(kāi)發(fā)EUV,、沉浸式、直寫(xiě)等下一代光刻技術(shù)(NGL),。在它位于紐約州EastFishkill的領(lǐng)先的300納米工廠(chǎng)里,,IBM公司已經(jīng)采用了來(lái)自ASML Holding NV公司的193nm光學(xué)掃描儀

   業(yè)界普遍認(rèn)為IBM將繼續(xù)和這家荷蘭公司合作,。IBM沒(méi)有就其合作廠(chǎng)商發(fā)表評(píng)論,。Gomba表示,IBM目前正采用“干式”193納米沉浸式光刻工具生產(chǎn)65節(jié)點(diǎn)邏輯芯片,。接下來(lái),,IBM將把193nm光刻擴(kuò)展到45nm節(jié)點(diǎn)(65nm半間距)。在該節(jié)點(diǎn)上,,IBM將采用一個(gè)193nm的沉浸式掃描儀和據(jù)稱(chēng)由ASML公司提供的1.2的數(shù)字孔徑,。

   在45nm節(jié)點(diǎn)之后,IBM還將把193nm沉浸式光刻擴(kuò)展到32納米節(jié)點(diǎn)(45納米半間距),。在這一節(jié)點(diǎn)上,,IBM將試用單圖形和雙圖形工藝,,并采用一個(gè)帶有1.35NA透鏡的掃描器。令人意外的是,,IBM還表示將在2011年將沉浸式光刻縮放至22nm節(jié)點(diǎn),。IBM認(rèn)為193nm沉浸式光刻是能夠滿(mǎn)足22節(jié)點(diǎn)的2年周期和要求的唯一方案。

   有專(zhuān)家表示,,目前的193nm沉浸式光刻折射率為1.4,,還只能以40納米工藝生產(chǎn)。為了突破這一障礙,,IBM將運(yùn)用一個(gè)采用了雙圖形技術(shù)的先進(jìn)的193nm沉浸式掃描器,,以及分辨率增強(qiáng)技術(shù)和OPC。Gomba指出:“我們?cè)谠囉酶鞣N不同的雙圖形工藝,?!?/p>

   至于EUV技術(shù),IBM認(rèn)為這項(xiàng)技術(shù)還不能用于22nm的早期開(kāi)發(fā)工作,。IBM希望EUV能接近22納米節(jié)點(diǎn),,但這一技術(shù)要到2009年才能最終成熟。迄今為止,,ASML公司已經(jīng)銷(xiāo)售了兩款相當(dāng)早期的“試用型”EUV工具,,一個(gè)提供給了IMEC公司,另一個(gè)給了AlbanyNanotech公司,。這家荷蘭公司將給三星提供一款“預(yù)生產(chǎn)”型EUV設(shè)備,,并可能給英特爾也提供一套。尼康和佳能也在開(kāi)發(fā)EUV,。