一體化PET/MR設(shè)備是在高場(chǎng)磁共振成像(MRI)設(shè)備平臺(tái)上，將最新技術(shù)的PET探測(cè)器植入到MR的體線圈和梯度線圈之間,，采用MRI信息對(duì)PET成像過程γ射線在組織細(xì)胞衰減進(jìn)行校正（MR based attenuation correction, MRAC）,，使用PET的飛行時(shí)間技術(shù)（Time of flight, TOF）以實(shí)現(xiàn)PET與MR同步掃描的最新型分子成像設(shè)備。在一體化 PET/MR設(shè)備中,，PET探測(cè)器元件組成對(duì)一體化PET/MR設(shè)備整體結(jié)構(gòu),、性能和應(yīng)用，以及能否實(shí)現(xiàn)PET與MRI同步掃描至關(guān)重要,。PET探測(cè)器主要由晶體,、光電轉(zhuǎn)化器和后續(xù)電子線路組成。在一體化PET/MR設(shè)備中,，PET的晶體只能選擇短余暉時(shí)間的晶體（LSO,、LBS或LYSO），PET探測(cè)器的光電轉(zhuǎn)化器只能選擇對(duì)磁場(chǎng)不敏感固態(tài)光電轉(zhuǎn)化器（Solid state photomultiplier tubes, SSPM）,。盡管雪崩式二極管（Avalanche photo diode, APD）和硅光電倍增管（Silicon photomultipliers, SiPM）均屬于SSPM,。但是，APD與SiPM之間存在本質(zhì)的區(qū)別,，SiPM是固態(tài)陣列式光電轉(zhuǎn)化器,，而APD與傳統(tǒng)的光電倍增管（Photomultiplier tubes，PMT）類似是單個(gè)獨(dú)立的光電轉(zhuǎn)換器[1,2,3],。早期一體化PET/MR選擇 APD作為PET探測(cè)光電轉(zhuǎn)化器,，其設(shè)備性能和應(yīng)用均未達(dá)到預(yù)期的目標(biāo)。自從2008年推出新一代SiPM以來,，SiPM空間分辨率,、穩(wěn)定性,、熱敏感型、磁場(chǎng)兼容性和PET的TOF分辨率等得到大幅度提高,，SiPM已經(jīng)成為一體化PET/MR分子成像設(shè)備的最佳選擇,。為此，本文主要介紹 SiPM技術(shù),、性能和應(yīng)用的進(jìn)展,。
1. SiPM的基本結(jié)構(gòu)
SiPM是一種新型的光電探測(cè)器件，由工作在蓋革模式(Geiger mode)的雪崩二極管陣列所組成,。濱松公司稱這種模式為多像素光子計(jì)數(shù)器（Multi-pixel photon counter, MPPC）, 而SENSL公司稱作硅光電倍增管（SiPM）,。目前，以SiPM縮寫為多數(shù)學(xué)者和科研人員所接受,。盡管SiPM是基于APD發(fā)展起來的新技術(shù),，但是SiPM克服了APD技術(shù)的固有缺陷并且具有更好的磁場(chǎng)兼容性、熱穩(wěn)定性和極高的時(shí)間分辨率能夠?qū)崿F(xiàn)PET的TOF技術(shù),。所以,，SiPM完全取代APD已經(jīng)成為業(yè)界共識(shí)。
（1）APD
蓋革和米勒(Geiger-Mueller)于1928年發(fā)明了蓋革計(jì)數(shù)管,，并被用于多種輻射探測(cè),。APD是基于GM原理發(fā)展起來的技術(shù)，在以硅或鍺為材料制成的光電二極管的P-N結(jié)上加上反向偏壓后,，射入的光被P-N結(jié)吸收后會(huì)形成光電流,。加大反向偏壓會(huì)產(chǎn)生“雪崩”（即光電流成倍地激增）的現(xiàn)象，因此這種二極管被稱為“雪崩光電二極管”,。雪崩光電二極管是一種p-n結(jié)型的光檢測(cè)二極管,，其中利用了載流子的雪崩倍增效應(yīng)來放大光電信號(hào)以提高檢測(cè)的靈敏度。其基本結(jié)構(gòu)常常采用容易產(chǎn)生雪崩倍增效應(yīng)的Read二極管結(jié)構(gòu)（即N+PIP+型結(jié)構(gòu),，P+一面接收光）,，工作時(shí)加較大的反向偏壓，使得其達(dá)到雪崩倍增狀態(tài),；它的光吸收區(qū)與倍增區(qū)基本一致（是存在有高電場(chǎng)的P區(qū)和I區(qū)）[1,，3]。
APD優(yōu)勢(shì)為固態(tài)光電轉(zhuǎn)化器,，對(duì)磁場(chǎng)敏感度不高,，能夠達(dá)到一定程度的集成化。但是,，其缺點(diǎn)是對(duì)熱極其敏感,，需要專門的水冷系統(tǒng)，磁場(chǎng)對(duì)其有一定程度的干擾,，因而影響其PET成像質(zhì)量,。很難實(shí)現(xiàn)高度集成化,，使其在體線圈和梯度線圈之間的屏蔽（磁屏蔽和射線屏蔽）效果不盡人意，同時(shí)影響PET和MR設(shè)備性能,。不能實(shí)現(xiàn)PET的TOF技術(shù),，無法在PET/MR系統(tǒng)充分發(fā)揮PET性能，影響PET與MR同步掃描,。
（2）SiPM
SiPM技術(shù)發(fā)明于二十世紀(jì)九十年代末,，以從硅（Si）襯底上的雪崩光電二極管（APD）陣列內(nèi)置硅單光子敏感的設(shè)備。每個(gè)硅光電倍增管由大量的（幾百到幾千個(gè)）APD單元組成,，每個(gè)單獨(dú)的APD的尺寸可以從20至100微米而變化,，并且它們的密度每平方毫米可高達(dá)1000個(gè)以上，每一個(gè)單元由一個(gè)APD和一個(gè)大阻值淬滅電阻串聯(lián)而成,，這些微元并聯(lián)成一個(gè)面陣列,。為硅光電倍增管加上反向偏壓（一般是幾十伏）后，每個(gè)微元的APD耗盡層有很高的電場(chǎng),，此時(shí)若外界有光子打進(jìn)來,，會(huì)和半導(dǎo)體中的電子空穴對(duì)發(fā)生康普頓散射，打出電子或空穴,，高能的電子和空穴隨即在電場(chǎng)中加速,，打出大量的次級(jí)電子和空穴，即雪崩,。此時(shí)每個(gè)微元電路中電流突然變大，在淬滅電阻上降落的電壓也變大,，APD中的電場(chǎng)瞬間變小,，即APD輸出一個(gè)瞬時(shí)電流脈沖后雪崩停止，不同微元的淬滅電阻阻值相同,，所以理論上講每個(gè)微元會(huì)輸出等大的脈沖,。每個(gè)微元都是邏輯單元，有信號(hào)輸出是“1”,，沒有信號(hào)就是“0”,。在硅光電倍增管的動(dòng)態(tài)范圍內(nèi)，它輸出電流的大小就和發(fā)生雪崩的微元數(shù)成正比,。
SiPM是將多個(gè)APD以陣列方式通過高度集成化起來,。與APD相比較，SiPM具有增益和靈敏度高,、偏置電壓低,、對(duì)磁場(chǎng)不敏感、受溫度影響小,、結(jié)構(gòu)緊湊和能夠?qū)崿F(xiàn)PET的TOF技術(shù)等特點(diǎn),。由于工作的偏置電壓低,，所以幾乎不受磁場(chǎng)影響；結(jié)構(gòu)緊湊有利于對(duì)PET探測(cè)器進(jìn)行更有效地屏蔽（磁場(chǎng)和放射線）,；將APD以陣列方式高度集成化起來使其對(duì)熱變化更加穩(wěn)定,；具有TOF技術(shù)能夠提高PET圖像質(zhì)量，消除PET圖像的“熱氣管”征象偽影和“正電子穿透效應(yīng)”偽影,， 真正實(shí)現(xiàn)PET與MR的同步掃描,。
（3）SiPM與APD結(jié)構(gòu)和性能比較
表1 是SiPM與APD、傳統(tǒng)的光電倍增管性能比較,?？梢钥闯鯯iPM具有增益高、工作偏置電壓低,、受溫度影響小,、對(duì)磁場(chǎng)不敏感、能夠?qū)崿F(xiàn)高度集成化,、能夠?qū)崿F(xiàn)PET的TOF技術(shù)等絕對(duì)的優(yōu)勢(shì),。如果我們對(duì)表中原始數(shù)據(jù)進(jìn)行分析可以獲得SiPM對(duì)溫度的變化僅僅是0.3%/℃，而APD是1~3%/℃,?？梢钥闯鯯iPM對(duì)溫度的穩(wěn)定性是APD的10倍。Spanoudaki 等引用先前的數(shù)據(jù)認(rèn)為SiPM存在對(duì)溫度敏感是一些學(xué)者采用90年代產(chǎn)品測(cè)試的結(jié)果[4],。Disselhorst等引用的兩篇文章僅僅涉及到APD,，并沒有溫度對(duì)SiPM影響的數(shù)據(jù)[5，6],?？梢姡琒panoudaki 和Disselhorst等報(bào)道的數(shù)據(jù)要么是采用90年代的SiPM測(cè)試結(jié)果,，要么是引用了沒有依據(jù)的文獻(xiàn),。相反，通過對(duì)數(shù)據(jù)的系統(tǒng)回顧,，可以確認(rèn)的是SiPM對(duì)溫度變化并不敏感,，對(duì)溫度具有極好的穩(wěn)定性[2，7],。本文表1的數(shù)據(jù)來自2011年更新后的數(shù)據(jù),，其數(shù)據(jù)直接來自SiPM生產(chǎn)廠家，具有更高的可信程度,。隨著半導(dǎo)體技術(shù),、工藝進(jìn)步，SiPM的性能已經(jīng)被大幅度提高,。反而可以從采用了APD的PET/MR的文獻(xiàn)（Delso G等報(bào)道）中清晰地看到,，PET探測(cè)器采用LSO晶體和APD后,，在APD單元配置水冷系統(tǒng)。這也是自2010以來學(xué)者們認(rèn)為SiPM將完全取代APD的原因,。
2. SiPM在PET分子成像中應(yīng)用
由于SiPM具有獨(dú)特的技術(shù)優(yōu)勢(shì),，特別適合于PET的探測(cè)器，SiPM已經(jīng)被用于獨(dú)立的PET,、PET/CT設(shè)備和一體化PET/MR設(shè)備中,，并且獲得非常滿意的臨床圖像。
（1） 用于獨(dú)立的PET或PET/CT成像
PET/CT的PET探測(cè)器使用SiPM后其PET探測(cè)器的靈敏度,、空間分辨率和圖像對(duì)比度大幅度提高,，并且可以將給患者的注射劑量大幅度降低或顯著提高掃描速度。采用SiPM的PET探測(cè)器PET/CT已經(jīng)在2013年6月11日獲得FDA批準(zhǔn)進(jìn)入美國(guó)市場(chǎng)銷售,。
（2） 用于一體化帶有TOF技術(shù)同步掃描的PET/MR
采用SiPM光電轉(zhuǎn)換器PET探測(cè)器的一體化帶有TOF技術(shù)的PET/MR于2014年11月24日獲得FDA批準(zhǔn)進(jìn)入美國(guó)市場(chǎng)銷售,。迄今，使用SiPM探測(cè)器具有TOF技術(shù)的一體化PET/MR在全球的銷售量已經(jīng)達(dá)到69臺(tái),。在我們國(guó)內(nèi)安裝用于測(cè)試設(shè)備已經(jīng)獲得非常好的臨床圖像,。這些更進(jìn)一步說明SiPM具有更好的穩(wěn)定性，APD技術(shù)已經(jīng)被淘汰,。
綜上所述,。可以看出SiPM具有增益和靈敏度高,、偏置電壓低,、對(duì)磁場(chǎng)不敏感、受溫度影響小,、結(jié)構(gòu)緊湊和能夠?qū)崿F(xiàn)PET的TOF技術(shù)等特點(diǎn),。在一體化PET/MR設(shè)備中，SiPM已經(jīng)成為最佳的選擇,。