微納加工技術(shù)指尺度為亞毫米、微米和納米量級元件以及由這些元件構(gòu)成的部件或系統(tǒng)的優(yōu)化設(shè)計,、加工、組裝,、系統(tǒng)集成與應(yīng)用技術(shù)，涉及領(lǐng)域廣,、多學(xué)科交叉融合,，其最主要的發(fā)展方向是微納器件與系統(tǒng)（MEMS和NEMS）。微納器件與系統(tǒng)是在集成電路制作上發(fā)展的系列專用技術(shù),，研制微型傳感器,、微型執(zhí)行器等器件和系統(tǒng)，具有微型化,、批量化,、成本低的鮮明特點，對現(xiàn)代生活,、生產(chǎn)產(chǎn)生了巨大的促進作用,，并催生了一批新興產(chǎn)業(yè)。
圖1. MEMS微型傳感器及微機械結(jié)構(gòu)圖
微納加工技術(shù)是先進制造的重要組成部分,，是衡量國家高端制造業(yè)水平的標(biāo)志之一,，具有多學(xué)科交叉性和制造要素極端性的特點，在推動科技進步,、促進產(chǎn)業(yè)發(fā)展,、拉動科技進步、保障國防安全等方面都發(fā)揮著關(guān)鍵作用,。微納加工技術(shù)的基本手段包括微納加工方法與材料科學(xué)方法兩種,。很顯然，微納加工技術(shù)與微電子工藝技術(shù)有密切關(guān)系,。
微納加工大致可以分為“自上而下”和“自下而上”兩類?！白陨隙隆笔菑暮暧^對象出發(fā),，以光刻工藝為基礎(chǔ)，對材料或原料進行加工,，最小結(jié)果尺寸和精度通常由光刻或刻蝕環(huán)節(jié)的分辨力決定,。“自下而上”技術(shù)則是從微觀世界出發(fā),，通過控制原子,、分子和其他納米對象的相互作用力將各種單元構(gòu)建在一起,，形成微納結(jié)構(gòu)與器件。
基于光刻工藝的微納加工技術(shù)主要包含以下過程：掩模（mask）制備,、圖形形成及轉(zhuǎn)移（涂膠,、曝光、顯影）,、薄膜沉積,、刻蝕、外延生長,、氧化和摻雜等,。在基片表面涂覆一層某種光敏介質(zhì)的薄膜（抗蝕膠），曝光系統(tǒng)把掩模板的圖形投射在（抗蝕膠）薄膜上,，光（光子）的曝光過程是通過光化學(xué)作用使抗蝕膠發(fā)生光化學(xué)作用,，形成微細(xì)圖形的潛像，再通過顯影過程使剩余的抗蝕膠層轉(zhuǎn)變成具有微細(xì)圖形的窗口,，后續(xù)基于抗蝕膠圖案進行鍍膜,、刻蝕等可進一步制作所需微納結(jié)構(gòu)或器件。
掩模板是根據(jù)放大了的原圖制備的帶有透明窗口的模板,。例如,，可以用平整的玻璃板，涂覆上金屬鉻薄膜,，通過類似照相制版的方法制備而成,。具有微納圖形結(jié)構(gòu)的掩模板通常使用電子束光刻機直接制備，其制作過程就是典型的光刻工藝過程,，包括金屬各層沉積,、涂膠、電子束光刻,、顯影,、鉻層腐蝕及去膠等過程。由于模板像素超多,，用掃描式光刻機制作掩模板的速度相當(dāng)慢,，造價十分昂貴。
圖2. 光刻掩模板
曝光光刻是圖形形成的核心工藝過程,，可分為正膠工藝和負(fù)膠工藝（如圖3）,，采用相同掩模板制作時，二者可獲得互補的圖形結(jié)構(gòu),。另外,，按照不同工作距離可分為接近式曝光、近貼式曝光（接觸曝光）和投射式光學(xué)曝光；按照曝光系統(tǒng)的工作光源又可分為紫外線曝光,、X射線與及紫外線曝光,、電子束與離子束曝光。此外,，微納印刷技術(shù)（imprint lithography）,，如納米壓印技術(shù)，在納米結(jié)構(gòu)及器件制作中也得到了良好的發(fā)展,，其高效的圖形復(fù)制特點使之在工業(yè)界極具吸引力,。卷對卷（Roll-to-Roll, R2R）滾軸壓印技術(shù)已經(jīng)被產(chǎn)線廣泛采用。
圖3. 正膠光刻與負(fù)膠光刻工藝流程圖
圖4. R2R納米壓印系統(tǒng)及壓印結(jié)構(gòu)
基于掩模板圖形傳遞的光刻工藝可制作宏觀尺寸的微細(xì)結(jié)構(gòu),，受光學(xué)衍射的極限,，僅適用于微米以上尺度的微細(xì)結(jié)構(gòu)制作，部分優(yōu)化的光刻工藝可能具有亞微米的加工能力,。例如,，接觸式光刻的分辨率可能到達0.5μm，采用深紫外曝光光源可能實現(xiàn)0.1μm,。但利用這種光刻技術(shù)實現(xiàn)宏觀面積的納米/亞微米圖形結(jié)構(gòu)的制作是可欲而不可求的,。近年來，國內(nèi)外很多學(xué)者相繼提出了超衍射極限光刻技術(shù),、周期減小光刻技術(shù)等,，力求通過曝光光刻技術(shù)實現(xiàn)大面積的亞微米結(jié)構(gòu)制作，但這類新型的光刻技術(shù)尚處于實驗室研究階段,。
高精度的微細(xì)結(jié)構(gòu)可以通過電子束直寫或激光直寫制作,，這類光刻技術(shù)，像“寫字”一樣,，通過控制聚焦電子束（光束）移動書寫圖案進行曝光,，具有很高的曝光精度，但這兩種方法制作效率極低,，尤其在大面積制作方面捉襟見肘,，目前直寫光刻技術(shù)僅適用于小面積的微納結(jié)構(gòu)制作。近年來,，三維浮雕微納結(jié)構(gòu)的需求越來越大,，如閃耀光柵、菲涅爾透鏡,、多臺階微光學(xué)元件等,。據(jù)悉，蘋果公司新上市的手機產(chǎn)品中人臉識別模塊就采用了多臺階微光學(xué)元件,，以及當(dāng)下如火如荼的無人駕駛技術(shù)中激光雷達光學(xué)系統(tǒng)也用到了復(fù)雜的微光學(xué)元件。這類精密的微納結(jié)構(gòu)光學(xué)元件需采用灰度光刻技術(shù)進行制作。直寫技術(shù),，通過在光束移動過程中進行相應(yīng)的曝光能量調(diào)節(jié),，可以實現(xiàn)良好的灰度光刻能力。
圖4. 直寫系統(tǒng)及其制作的微納結(jié)構(gòu)
通過光刻技術(shù)制作出的微納結(jié)構(gòu)需進一步通過刻蝕或者鍍膜,，才可獲得所需的結(jié)構(gòu)或元件,。
刻蝕技術(shù)（etching technique），是按照掩模圖形對襯底表面或表面覆蓋薄膜進行選擇性腐蝕或剝離的技術(shù),，可分為濕法刻蝕和干法刻蝕,。濕法刻蝕最普遍、也是設(shè)備成本最低的刻蝕方法,。大部份的濕刻蝕液均是各向同性的,，換言之，對刻蝕接觸點之任何方向腐蝕速度并無明顯差異,。然而自1970年代起,，報道了許多有關(guān)堿性或有機溶液腐蝕單晶硅的文章，其特點是不同的硅晶面腐蝕速率相差極大,，尤其是<111>方向,，足足比<100>或是<110>方向的腐蝕速率小一到兩個數(shù)量級！因此,，腐蝕速率最慢的晶面,，往往便是腐蝕后留下的特定面。干法刻蝕利用等離子體 (plasma) 來進行半導(dǎo)體薄膜材料的刻蝕加工,。其中等離子體必須在真空度約10至0.001 Torr 的環(huán)境下,，才有可能被激發(fā)出來；而干刻蝕采用的氣體,，或轟擊質(zhì)量頗巨,，或化學(xué)活性極高，均能達成刻蝕的目的,。其最重要的優(yōu)點是能兼顧邊緣側(cè)向侵蝕現(xiàn)象極微與高刻蝕率兩種優(yōu)點,。干法刻蝕能夠滿足亞微米/納米線寬制程技術(shù)的要求，且在微納加工技術(shù)中被大量使用,。
近年來,，激光技術(shù)的飛速發(fā)展使的激光蝕刻技術(shù)孕育而生，類似于激光直寫技術(shù),，激光蝕刻技術(shù)通過控制聚焦的高能短波/脈沖激光束直接在基材上燒蝕材料并“雕刻”出微細(xì)結(jié)構(gòu),。它不但能夠?qū)崿F(xiàn)傳統(tǒng)意義的薄膜蝕刻，而且可以用來實現(xiàn)三維的微結(jié)構(gòu)制作,。飛秒高峰值功率激光于有機聚合物的介質(zhì)的作用具有很多科學(xué)上很吸引人注目的特點,，其中,，雙光子作用下的聚合作用（two-photon polymerization, 2PP）已被成功運用于三維納米結(jié)構(gòu)制作，可以制作出非常復(fù)雜,、特殊的三維微細(xì)結(jié)構(gòu),。
圖5. 利用2PP激光蝕刻加工的三維光子晶體
在微電子與光電子集成中，薄膜的形成方法主要有兩大類,，及沉積和外延生長,。沉積技術(shù)分為物理沉積、化學(xué)沉積和混合方法沉積,。蒸發(fā)沉積（熱蒸發(fā),、電子束蒸發(fā)）和濺射沉積是典型的物理方法；化學(xué)氣相沉積是典型的化學(xué)方法,；等離子體增強化學(xué)氣相沉積是物理與化學(xué)方法相結(jié)合的混合方法,。薄膜沉積過程，通常生成的是非晶膜和多晶膜,，沉積部位和晶態(tài)結(jié)構(gòu)都是隨機的,，而沒有固定的晶態(tài)結(jié)構(gòu)。外延生長實質(zhì)上是材料科學(xué)的薄膜加工方法,，其含義是：在一個單晶的襯底上,，定向地生長出與基底晶態(tài)結(jié)構(gòu)相同或相似的晶態(tài)薄層。其他薄膜成膜方法,，如電化學(xué)沉積,、脈沖激光沉積法、溶膠凝膠法,、自組裝法等,，也都廣泛用于微納制作工藝中。
微納測試與表征技術(shù)是微納加工技術(shù)的基礎(chǔ)與前提,，它包括在微納器件的設(shè)計,、制造和系統(tǒng)集成過程中，對各種參量進行微米/納米檢測的技術(shù),。微米測量主要服務(wù)于精密制造和微加工技術(shù),，目標(biāo)是獲得微米級測量精度，或表征微結(jié)構(gòu)的幾何,、機械及力學(xué)特性,；納米測量則主要服務(wù)于材料工程和納米科學(xué)，特別是納米材料,，目標(biāo)是獲得材料的結(jié)構(gòu),、地貌和成分的信息。在半導(dǎo)體領(lǐng)域人們所關(guān)心的與尺寸測量有關(guān)的參數(shù)主要包括：特征尺寸或線寬,、重合度,、薄膜的厚度和表面的糙度等等,。未來，微納測試與表征技術(shù)正朝著從二維到三維,、從表面到內(nèi)部,、從靜態(tài)到動態(tài)、從單參量到多參量耦合,、從封裝前到封裝后的方向發(fā)展。探索新的測量原理,、測試方法和表征技術(shù),，發(fā)展微納加工及制造實時在線測試方法和微納器件質(zhì)量快速檢測系統(tǒng)已成為了微納測試與表征的主要發(fā)展趨勢。
不同的表面微納結(jié)構(gòu)可以呈現(xiàn)出相應(yīng)的功能,，隨著科技的發(fā)展,，不同功能的微納結(jié)構(gòu)及器件將會得到更多的應(yīng)用。目前表面功能微納結(jié)構(gòu)及器件,，諸如超材料,、超表面等充滿“神奇”力量的結(jié)構(gòu)或器件，的發(fā)展仍受到微納加工技術(shù)的限制,。因此,，研究功能微納結(jié)構(gòu)及器件需要從微納結(jié)構(gòu)的加工技術(shù)方面進行廣泛深入的研究，提高微納加工技術(shù)的加工能力和效率是未來微納結(jié)構(gòu)及器件研究的重點方向,。