摘要：介紹了離子注入技術(shù)的特點及其原理，在分析介紹其設(shè)備種類的基礎(chǔ)上,，簡要概述了離子注入設(shè)備的基本結(jié)構(gòu),，詳細分析了影響注入工藝的各種因素，根據(jù)多年的設(shè)備維護經(jīng)驗,，總結(jié)歸納了離子注入機的常見故障,，并提出了各種故障的處理措施。
離子注入是現(xiàn)代集成電路制造中的一種非常重要的摻雜技術(shù),，它以離子加速的方式將摻雜元素注入到半導(dǎo)體晶片內(nèi)部,，改變其導(dǎo)電特性并最終形成所需的器件結(jié)構(gòu)。離子注入工藝有許多優(yōu)點,，已大規(guī)模取代了擴散工藝,，成為半導(dǎo)體工藝中最常見的摻雜技術(shù)。離子注入機的工作過程為：離子源將摻雜元素電離為帶正電荷的離子,，由吸極把離子從源中提取出來,，經(jīng)過磁分析器分離，把所需的離子與其它離子分離出來,，再由加速器將摻雜離子加速到所需能量,，最后由聚焦掃描系統(tǒng)把離子注入半導(dǎo)體材料中。離子注入機是半導(dǎo)體工藝中最復(fù)雜的設(shè)備之一,，其設(shè)備維修涉及物理,、電氣、機械,、機電一體化,、自動控制等多門學(xué)科知識,。
1離子注入技術(shù)的特點及原理
1.1離子注入技術(shù)的特點
離子注入技術(shù)是一種純凈的表面處理技術(shù)，它無需在高溫環(huán)境下進行,，故不會改變加工工件的外形和表面光潔度,。其主要特點如下：
（1）注入離子的純度高,、能量單一,，注入環(huán)境清潔、干燥,，雜質(zhì)污染極低,。
?。?）注入離子的劑量可精確控制,，因而摻雜的均勻性高。
?。?）離子的注入可在常溫下進行,，因而對離子掩蔽層的要求不苛刻，二氧化硅,、光刻膠等都可以作為掩蔽層,。
（4）離子注入的摻雜濃度不受雜質(zhì)在襯底中的固溶度限制,。不會改變化合物半導(dǎo)體材料的組份,。
（5）離子注入的橫向摻雜效應(yīng)很小,，有利于縮小芯片的面積,，降低功耗。
?。?）離子注入的缺點是高能離子的轟擊會對半導(dǎo)體材料的晶格結(jié)構(gòu)造成損傷,。
1.2離子注入技術(shù)原理
離子注入是將離子源產(chǎn)生的離子分離提純，經(jīng)加速后高速射向材料表面并注入到材料體內(nèi)的一種技術(shù),。注入離子進入材料表面,，與材料中的原子碰撞，將其擠進內(nèi)部,，這些被撞離的原子再與其它原子碰撞,，如此持續(xù)約數(shù)百納秒內(nèi)，將在材料中形成一個有數(shù)百個間隙原子和空位的區(qū)域（如圖1所示）,。這種級聯(lián)碰撞會在材料表面形成一個注入元素的濃度峰,，其分布為高斯分布。離子注入的深度是離子能量,、質(zhì)量以及基體原子質(zhì)量的函數(shù),，能量愈高,，注入愈深。一般情況下,，離子越輕活基體原子越輕,，注入越深。當離子注入到材料內(nèi)部,，離子便被材料吸收,，成為材料的一部分，因而注入層不會脫落或剝離,，注入的離子能夠與固體原子,，或者彼此之間發(fā)生一系列物理的和化學(xué)的相互作用，入射離子逐漸損失能量,，最后停留在材料中,，并使材料的表面成分、結(jié)構(gòu)和性能發(fā)生變化,，進而優(yōu)化材料表面性能,，獲得某些新的優(yōu)異性能。
2離子注入機分類及設(shè)備結(jié)構(gòu)
2.1離子注入機分類
離子注入設(shè)備是半導(dǎo)體制造中重要的工藝設(shè)備,，按照使用工藝及離子的能量和離子束電流大小可分為高能量,、高電流、中電流三種[1],。
?。?）高能量注入機的離子束具有較高能量，一般可達到500keV以上,，但其摻雜濃度較低,，主要用于材料襯底的深阱摻雜。
?。?）高電流注入機能獲得較大的離子束電流,，其摻雜濃度大，但注入深度較淺,，主要用于器件的源漏區(qū)摻雜和LDD區(qū)摻雜,。
（3）中電流注入機應(yīng)用比較廣泛,，它的離子能量和束流大小遠小于高能量和高電流注入機,，被廣泛應(yīng)用于除深井摻雜和源漏摻雜以外幾乎所有的離子摻雜工藝。
2.2離子注入機設(shè)備結(jié)構(gòu)
離子注入機的設(shè)備結(jié)構(gòu)包括離子源,、磁分析器,、掃描系統(tǒng)、聚焦加速系統(tǒng)和注入系統(tǒng),，如圖2所示,。
2.2.1離子源
離子源是離子注入機的關(guān)鍵部件之一,，其作用是使摻雜氣體電離為離子形成離子束。摻雜氣體通過管道進入離子源的電弧反應(yīng)室,，被反應(yīng)室中燈絲激發(fā)的熱電子轟擊,，形成等離子體。這些等離子體在反應(yīng)室外的負電壓電極作用下,，其中的正離子便從等離子體中分離出來,，離幵電弧反應(yīng)室，形成具有一定能量的離子束,。目前廣泛使用的離子源主要有BERNAS和IHC兩種[2],。
2.2.2磁分析器
離子源中產(chǎn)生的離子通常是多種離子，而在實際工藝加工中只需要一種雜質(zhì)離子,。因此,，必須采取磁分析器對離子束進行分離，選出所需的單一離子,。在磁分析器中,，離子束流在與磁場垂直的平面內(nèi)以恒定速度在真空中運動,，離子束中的粒子在洛侖茲力的作用下,，作勻速圓周運動。由于不同質(zhì)量的離子,，其勻速圓周運動的半徑是完全不同的,，因此，磁分析器便將不同質(zhì)量的離子一一分離開來,，只把所需要的雜質(zhì)挑選出來,。通常磁分析器被制成70°至120°的彎曲腔體，內(nèi)壁兩側(cè)裝有石墨擋板,。在與離子路徑垂直的方向上下,，各有一個通電磁鐵，其作用是調(diào)節(jié)分析磁場的強度大小,。
2.2.3掃描系統(tǒng)
離子束是一條線狀高速離子流,，必須通過掃描覆蓋整個注入?yún)^(qū)。常用的掃描方式有固定樣品移動離子束和固定離子束移動樣品兩種,。離子注入機的掃描系統(tǒng)有四種,，分別是電子掃描、機械掃描,、混合掃描以及平行掃描,，目前最常用的是靜電掃描系統(tǒng)。靜電掃描系統(tǒng)由兩組平行的靜電偏轉(zhuǎn)板組成,，一組進行橫向偏轉(zhuǎn),，另一組進行縱向偏轉(zhuǎn),。在平行電極板上施加電場，正離子就會向低電壓一側(cè)的電極板偏轉(zhuǎn),，改變電壓大小就可以改變離子束的偏轉(zhuǎn)角度,。這種掃描的優(yōu)點是電子和中性離子不會發(fā)生偏轉(zhuǎn)，能夠從束流中消除,。其缺點是離子束不能垂直轟擊樣片,，會導(dǎo)致注入掩膜圖形的陰影效應(yīng)，阻礙離子束的注入,。
2.2.4聚焦與加速系統(tǒng)
聚焦系統(tǒng)：從磁分析器加速出來的離子束由于都是正離子,，相互排斥，因此離子束會有一個張角,，為了減少束流損失,，使離子束能均勻的分布于被注入的樣片表面，通常要用電磁透鏡加以聚焦,。離子束的聚焦器一般由數(shù)對同電位極板組成,，通過加載一定的電壓來調(diào)節(jié)離子束的聚集效果。
加速器：從離子源吸出的雜質(zhì)離子,，必須通過一個具有強電場作用的加速器進行加速或減速,，以獲得工藝加工所需的離子能量。在磁分析器之前,，離子獲得的加速通常稱為“前加速”,，通過磁分析器后，離子可以再次獲另外一段加速或減速,，通常稱之為“后加速或減速”,。離子注入機常用的后加速或減速方式有直流和射頻兩種，加速器主要由真空室和高壓電源組成,。
2.2.5注入系統(tǒng)
離子注入機的內(nèi)部腔體需要維持在極低的真空狀態(tài)下,，通常其腔體壓力小于5×10-7t。這是為了避免離子束從電離產(chǎn)生到最后的掃描注入受到空間其它粒子的干擾,。離子注入機的真空系統(tǒng)由干泵,、分子泵和冷泵組成。另外,，離子源的真空也需要保持在極低壓力下,，若壓力高出要求，則電弧腔和吸極間極易放電,，造成離子束不穩(wěn)定,。若離子注入機內(nèi)部腔體的真空壓力過高，將會引起離子和殘余氣體分子的碰撞，造成離子束電流降低,，還會造成電荷交換形成能量污染,。
3影響離子注入工藝的因素和設(shè)備常見故障處理
3.1影響離子注入工藝的因素
影響離子注入工藝均勻性的因素很多，其中最主要的有四種,。
3.1.1注入系統(tǒng)的真空度
注入機系統(tǒng)的真空度對其束流品質(zhì)有非常大的影響,。如果真空度過低，一方面會導(dǎo)致注入機的束流比較小,，致使注入的速度降低,；另一方面，將導(dǎo)致離子流的聚焦不好,，注入的純度達不到要求,。另外，真空度對注入的均勻性也有一定的影響,，因為離子束在加速的路徑上被一些雜散的氣體分子阻擋,，導(dǎo)致同一片樣品中離子注入深度的均勻性變差。
離子束從離子源到注入靶要經(jīng)歷較長的路徑,，這對于整個系統(tǒng)的真空度提出了較高的要求,。如果真空度不夠，則離子束將與系統(tǒng)內(nèi)殘余的氣體分子發(fā)生級聯(lián)碰撞,，產(chǎn)生許多低能電子和派生離子,，導(dǎo)致離子運動方向雜亂。這不僅對于離子束本身是一種污染,，同時因為碰撞的隨機性,，使得離子束的能量統(tǒng)計出現(xiàn)偏差,，表現(xiàn)出較高的能散度,。
3.1.2樣品表面的潔凈度
離子注入對顆粒污染非常敏感，樣片表面的顆粒會阻礙離子流的注入,。通常注入的束流越大越容易產(chǎn)生更多顆粒,，雖然注入后這些顆粒可以清洗掉,，但其對注入的遮擋將在樣品的注入層中產(chǎn)生一些致命的缺陷,。大多數(shù)顆粒的產(chǎn)生是由其它工序或者環(huán)境因素導(dǎo)致的，另外,，實際工藝中各種操作的規(guī)范性及正確性也非常關(guān)鍵,。不正確的拿取樣品、不正確的抽真空步驟以及在系統(tǒng)充氣時使用未經(jīng)過濾的氣體等都產(chǎn)生較多顆粒[3],。
3.1.3聚焦與掃描
從離子源加速管吸出的離子流是發(fā)散的,，其束流密度很不均勻，必須進行聚焦合軸處理，為隨后的掃描提供細小的優(yōu)質(zhì)束斑,，掃描面內(nèi)的束流信號才能對稱一致,，注入層雜質(zhì)分布才能均勻。
3.1.4束流大小的選擇
離子束入射到絕緣材料晶片上,，會在這些材料表面形成電荷積累層,，這種現(xiàn)象叫做晶片電荷積累。晶片表面的積累電荷對注入的離子會產(chǎn)生散射作用,，影響注入的均勻性,。注入的束流越大，晶片的電荷積累越嚴重,，因此,，在工藝加工中，應(yīng)根據(jù)需要盡量選擇較小的束流,。
3.2注入機常見故障及處理
離子注入機常見故障主要有四類,，分別是部件老化、真空問題,、電源問題和系統(tǒng)污染,。
3.2.1部件老化
國內(nèi)注入機大多是引進國外生產(chǎn)線的二手設(shè)備，所以部件老化是經(jīng)常遇到的故障問題,。在注入機系統(tǒng)的維修中,，要仔細分析判斷，對其真空部件,、高低電位控制光纖和一些經(jīng)常動作的運動部件等,，要進行定期檢查維護，及時更換老化部件,，緊固松動的螺釘?shù)取?/p>
3.2.2真空問題
注入機設(shè)備系統(tǒng)真空的好壞,，是影響注入質(zhì)量的重要因素。對注入系統(tǒng)真空的維護,，通常有以下幾項措施：
?。?）定期維護保養(yǎng)，要經(jīng)常定期更換各腔體連接處的密封圈,。例如,，注入靶室的真空密封圈，經(jīng)常由于碎片或雜物劃傷而導(dǎo)致漏氣,，要及時更換,。
（2）定期維護保養(yǎng)真空泵組,。經(jīng)常檢查機械泵的油面是否合適,；觀察冷泵壓縮機壓力是否偏低,，及時更換吸附桶，冷泵正常溫度是否維持在13K以下,；定期維護保養(yǎng)分子泵,，保證本體真空度。
3.2.3電源問題
注入機的電源主要有高壓電源,、吸極電源,、燈絲電源、磁分析電源和掃描電源等,。進行電源的檢修時要注意電源的負載是否正常,，先分析定位發(fā)生故障的電源模塊，然后再逐步排查導(dǎo)致故障的原因,，在搞懂各單元電路的工作原理后,，再進行直流和穩(wěn)壓、穩(wěn)流過程分析,。
3.2.4系統(tǒng)污染
導(dǎo)致注入系統(tǒng)污染的原因,，主要有以下幾種：
（1）離子源污染,。措施：檢查離子源真空系統(tǒng)是否漏氣,；檢查所用源材料純度是否滿足要求。
?。?）質(zhì)量分析中離子束被污染,。措施：檢查系統(tǒng)真空是否漏氣；檢查質(zhì)量分析器的窄峰是否合適,；檢查離子能量過濾系統(tǒng),；檢查系統(tǒng)是否被金屬沾污。
?。?）系統(tǒng)部件污染,。主要有：離子束撞擊電機產(chǎn)生的濺射金屬；樣品表面光刻膠的堿性元素沾污,；法拉第杯的鋁,；同一注入機注入不同元素的交互污染等。
4結(jié)束語
離子注入機作為半導(dǎo)體工藝中最復(fù)雜的設(shè)備之一,，其維修是一項結(jié)合多門學(xué)科知識的復(fù)雜工作。隨著半導(dǎo)體工藝技術(shù)的進一步發(fā)展,，對離子注入技術(shù)的精度和均勻性提出了更高的要求,，其設(shè)備復(fù)雜程度也越來越高，維修工作也會越來越復(fù)雜,、困難,，對于我們每一位維修人員,，一定要理清思路、順藤摸瓜,，這樣,，任何問題都將迎刃而解。