一、半導體清洗用超純水設(shè)備概述
半導體清洗用超純水設(shè)備主要應(yīng)用在半導體清洗行業(yè),，該設(shè)備采用先進的反滲透技術(shù)和ED1技術(shù),，保證設(shè)備的質(zhì)量和出水水質(zhì)。該設(shè)備整體采用先進的不銹鋼材質(zhì),，抗腐蝕能力強,，同時也不會出現(xiàn)生銹問題，質(zhì)量可靠,，受到用戶的一致好評,。
二、半導體清洗用超純水設(shè)備工作原理
EDI裝置將離子交換樹脂充夾在陰／陽離子交換膜之間形成EDI單元,，EDI工作原理如下圖所示,，EDI組件中將一定數(shù)量的EDI單元間用網(wǎng)狀物隔開，形成濃水室,。又在單元組兩端設(shè)置陰／陽電極,。在直流電的推動下，通過淡水室水流中的陰陽離子分
別穿過陰陽離子交換膜進入到濃水室面在淡水室中去除,。而通過濃水室的水將離子帶出系統(tǒng),，成為濃水,，ED1設(shè)備一般以反滲透（RO)純水作為EDI給水．RO純水電導率一般是40-2μ S/cm(25℃).
EDI純水電阻率可以高達18MQ.cm(25℃),但是根據(jù)去離子水用途和系統(tǒng)配置設(shè)置，EDI純水適用于制備電阻率要求在
1-18. 2MΩ.cm(25℃)的純水,。
三,、半導體清洗用超純水設(shè)備制備工藝
1、預(yù)處理系統(tǒng)→反滲透系統(tǒng)一中間水箱→粗混合床→精混合床→純水箱→純水泵→紫外線殺菌器→拋光混床→精密過濾器→用水點,。（≥18MΩ.C0(傳統(tǒng)工藝）
2,、預(yù)處理→反滲透→中間水箱→水泵→ED1裝置→純化水
箱一辣水系一紫外線殺菌器一隨光溉床→0. 2或0. 5μ=精密過濾器→用水點。（＊18MΩ.CM(最新工藝）
3,、預(yù)處理→一級反滲透→加藥機（PH調(diào)節(jié)）→中間水箱→第
二級反滲透（正電荷反滲膜）→純水箱→純水泵→EDI裝置→紫外
線殺菌器→0. 2或0. 5μm精密過濾器→用水點,。（≥17MΩ.00(最新工藝）
4、預(yù)處理→反滲透→中間水箱→水泵→EDI裝置一純水箱→純水泵→紫外線殺菌器→0. 2或0. 5μ=精密過濾器→用水點,。
（≥15Ω.00(最新工藝）
5,、預(yù)處理系統(tǒng)一反涉透系統(tǒng)一中間水箱→純水泵一相混合
床→精混合床→紫外線殺菌器一精密過濾器一用水點。（≥15MΩ.CD(傳統(tǒng)工藝）
